Искать:
QPD2195SR
Технические характеристики
  • Тип транзистора HEMT
  • Технология GaN SiC
  • Усиление 20.4 dB
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток -
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
  • Id - непрерывный ток утечки -
  • Выходная мощность 400 W
  • Максимальное напряжение сток-затвор 55 V
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура -
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок NI780-2
  • Упаковка Reel