CG2H80015D-GP4
- ПроизводительWolfspeed / Cree
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Тип транзистора HEMT
- Технология GaN
- Усиление 17 dB
- Полярность транзистора N-Channel
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 120 V
- Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V, 2 V
- Id - непрерывный ток утечки 1.5 A
- Выходная мощность 15 W
- Максимальное напряжение сток-затвор -
- Минимальная рабочая температура -
- Максимальная рабочая температура + 225 C
- Pd - рассеивание мощности -
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок Die
- Упаковка Gel Pack