Искать:
TGF2120
Технические характеристики
  • Тип транзистора pHEMT
  • Технология GaAs
  • Усиление 11 dB
  • Полярность транзистора -
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 8 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 12 V
  • Id - непрерывный ток утечки 194 mA
  • Выходная мощность -
  • Максимальное напряжение сток-затвор -
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 4.2 W
  • Вид монтажа -
  • Упаковка / блок Die
  • Упаковка Gel Pack