Искать:
GTVA104001FA-V1-R0
Технические характеристики
  • Тип транзистора HEMT
  • Технология GaN SiC
  • Усиление 19 dB
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 150 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток - 10 V to 2 V
  • Id - непрерывный ток утечки 4.6 A
  • Выходная мощность 400 W
  • Максимальное напряжение сток-затвор -
  • Минимальная рабочая температура -
  • Максимальная рабочая температура -
  • Pd - рассеивание мощности -
  • Вид монтажа Flange Mount
  • Упаковка / блок H-37265J-2
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel