Искать:
TGF2957
Технические характеристики
  • Тип транзистора HEMT
  • Технология GaN SiC
  • Усиление 19.2 dB
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 32 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток -
  • Id - непрерывный ток утечки 4.2 A
  • Выходная мощность 48.6 dBm
  • Максимальное напряжение сток-затвор 100 V
  • Минимальная рабочая температура - 65 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Pd - рассеивание мощности 68 W
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок Die
  • Упаковка Gel Pack