Искать:
QPD1011SR
Технические характеристики
  • Тип транзистора HEMT
  • Технология GaN SiC
  • Усиление 21 dB
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 50 V
  • Vds - напряжение пробоя затвор-исток 145 V
  • Id - непрерывный ток утечки 1.46 A
  • Выходная мощность 8.7 W
  • Максимальное напряжение сток-затвор 55 V
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 85 C
  • Pd - рассеивание мощности 13 W
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок SMD-8
  • Упаковка Cut Tape, MouseReel, Reel