Искать:
A2T08VD020NT1
Технические характеристики
  • Полярность транзистора N-Channel
  • Технология Si
  • Id - непрерывный ток утечки 64 mA
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток - 500 mV, 105 V
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
  • Усиление 19.1 dB
  • Выходная мощность 2 W
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок PQFN-24
  • Упаковка Reel