MRF151GB
- ПроизводительAdvanced Semiconductor, Inc.
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Полярность транзистора N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 40 A
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 125 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление -
- Выходная мощность -
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 200 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок SOT-262A
- Упаковка Tray