MMRF5017HSR5
- ПроизводительNXP Semiconductors
- DatasheetСкачать
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Полярность транзистора N-Channel
- Технология GaN SiC
- Id - непрерывный ток утечки 200 mA
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 125 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление -
- Выходная мощность 125 W
- Минимальная рабочая температура - 55 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок NI-400S-2
- Упаковка Cut Tape, Reel