Искать:
A3G18H500-04SR3
Технические характеристики
  • Полярность транзистора Dual N-Channel
  • Технология Si
  • Id - непрерывный ток утечки 200 mA
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток 125 V
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
  • Усиление 15.4 dB
  • Выходная мощность 107 W
  • Минимальная рабочая температура - 55 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок NI-780S-4L
  • Упаковка Reel