PD54003-E
- ПроизводительSTMicroelectronics
- ЗаказатьВ корзину
Технические характеристики
- Полярность транзистора N-Channel
- Технология Si
- Id - непрерывный ток утечки 4 A
- Vds - напряжение пробоя сток-исток 25 V
- Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
- Усиление 12 dB
- Выходная мощность 3 W
- Минимальная рабочая температура - 65 C
- Максимальная рабочая температура + 150 C
- Вид монтажа SMD/SMT
- Упаковка / блок PowerSO-10RF-Formed-4
- Упаковка Tube