Искать:
A2V09H525-04NR6
Технические характеристики
  • Полярность транзистора Dual N-Channel
  • Технология Si
  • Id - непрерывный ток утечки 2.8 A
  • Vds - напряжение пробоя сток-исток - 500 mV, 105 V
  • Rds Вкл - сопротивление сток-исток -
  • Усиление 18.9 dB
  • Выходная мощность 120 W
  • Минимальная рабочая температура - 40 C
  • Максимальная рабочая температура + 150 C
  • Вид монтажа SMD/SMT
  • Упаковка / блок OM-1230-4
  • Упаковка Reel