Искать:
Фильтр
Производитель
Продукт
Тип
Vf - прямое напряжение
Vr - обратное напряжение
Vgs - напряжение затвор-исток
Вид монтажа
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Упаковка
Очистить фильтр
Фото Партномер Datasheet Описание Заказать
M5060TB1000 Дискретные полупроводниковые модули 60A 1000V 3PH BRDG MODULE POWER
M5060TB1200 Дискретные полупроводниковые модули 60A 1200V 3PH BRDG MODULE POWER
M5060TB1400 Дискретные полупроводниковые модули DIODE MODULE 530VAC 60ADC 1400VP
M5060TB600 Дискретные полупроводниковые модули DIODE MODULE 240VAC 60ADC 600VP
M5060TB800 Дискретные полупроводниковые модули 60A 800V 3PH BRIDGE MODULE POWER
M5060THA1200 Дискретные полупроводниковые модули Power Module
M5060THA1600 Дискретные полупроводниковые модули 60A 600VAC THC Circuit
M5060THC1200 Дискретные полупроводниковые модули 60-100 AMP DIODE MODULES
M5060THC1600 Дискретные полупроводниковые модули 60A 1600V 3PH CC MODULE POWER
M508012F Дискретные полупроводниковые модули MODULE, POWER, DIODE 80 AMPS, 240 VAC
MBR200150CT Дискретные полупроводниковые модули 150V 200A Forward
MCB20P1200LB-TRR Дискретные полупроводниковые модули MCB20P1200LB-TRR
MCB20P1200LB-TUB Дискретные полупроводниковые модули MCB20P1200LB-TUB
MCB30P1200LB-TRR Дискретные полупроводниковые модули MCB30P1200LB-TRR
MCB30P1200LB-TUB Дискретные полупроводниковые модули MCB30P1200LB-TUB
MCB40P1200LB-TRR Дискретные полупроводниковые модули MCB40P1200LB-TRR
MCB40P1200LB-TUB Дискретные полупроводниковые модули MCB40P1200LB-TUB
MCB60I1200TZ-TUB Дискретные полупроводниковые модули SICARBIDE-DISCRETE MOSFET
MCB60P1200TLB-TRR Дискретные полупроводниковые модули MCB60P1200TLB-TRR
MCB60P1200TLB-TUB Дискретные полупроводниковые модули MCB60P1200TLB-TUB
MCC132-08IO1 Дискретные полупроводниковые модули 132 Amps 800V
MCC132-12IO1 Дискретные полупроводниковые модули 132 Amps 1200V
MCC132-14IO1 Дискретные полупроводниковые модули 132 Amps 1400V
MCC132-16IO1 Дискретные полупроводниковые модули 132 Amps 1600V