Искать:
Фильтр
Производитель
Продукт
Тип
Vf - прямое напряжение
Vr - обратное напряжение
Vgs - напряжение затвор-исток
Вид монтажа
Упаковка / блок
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Упаковка
Очистить фильтр
Фото Партномер Datasheet Описание Заказать
APTM100DA33T1G Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet
APTM100SK33T1G Дискретные полупроводниковые модули DOR CC8017
APTM100UM65SAG Дискретные полупроводниковые модули CC6021
APTM10DSKM19T3G Дискретные полупроводниковые модули DOR CC3029
APTM10HM19FT3G Дискретные полупроводниковые модули DOR CC3028
APTM120H140FT1G Дискретные полупроводниковые модули DOR CC8014
APTM20AM04FG Дискретные полупроводниковые модули CC6006
APTM50H14FT3G Дискретные полупроводниковые модули DOR CC3032
APTM50H15FT1G Дискретные полупроводниковые модули DOR CC8031
APTM50HM65FT3G Дискретные полупроводниковые модули CC3071
APTM50HM75STG Дискретные полупроводниковые модули CC4033
APTM60A11FT1G Дискретные полупроводниковые модули DOR CC8117
APTMC120TAM34CT3AG Дискретные полупроводниковые модули CC3193
B481C-2 Дискретные полупроводниковые модули 35A 240VAC ISO PNL MOD DIODE POWER
B481C-2T Дискретные полупроводниковые модули POWER DIODE MODULE
B482C-2T Дискретные полупроводниковые модули 35A 240VAC PNL MNT MOD DIODE POWER
B482F-2T Дискретные полупроводниковые модули POWER DIODE MODULE
B483C-2 Дискретные полупроводниковые модули 35A 240VAC ISO PNL MOD DIODE POWER
B483C-2T Дискретные полупроводниковые модули 35A 240VAC PNL MNT MOD DIODE POWER
B483F-2 Дискретные полупроводниковые модули 35A 480VAC 600A DIODE MODULE
B483F-2T Дискретные полупроводниковые модули 35A 480VAC PNL MNT MOD DIODE POWER
B483H-2T Дискретные полупроводниковые модули 35A 600VAC PNL MNT MOD DIODE POWER
B484F-2 Дискретные полупроводниковые модули 50A 480VAC ISO PNL MOD DIODE POWER
B484G-2 Дискретные полупроводниковые модули 50A 530VAC ISO PNL MOD DIODE POWER