Искать:
Фильтр
Производитель
Тип
Ширина шины данных
Организация
Упаковка / блок
Размер памяти
Максимальная тактовая частота
Время доступа
Напряжение питания - макс.
Напряжение питания - мин.
Напряжение питания - макс.
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Очистить фильтр
Фото Партномер Datasheet Описание Заказать
AS4C4M32MSA-6BINTR DRAM 128M 166MHz 4Mx32 Mobile LP SDRAM IT
AS4C4M32S-6BIN DRAM 128M, 3.3V, 4M x 32 SDRAM
AS4C4M32S-6BINTR DRAM 128M, 3.3V, 4M x 32 SDRAM
AS4C4M32S-7BCN DRAM 128Mb, 3.3V, 143Mhz 4M x 32 SDRAM
AS4C4M32S-7BCNTR DRAM 128Mb, 3.3V, 143Mhz 4M x 32 SDRAM
AS4C4M32S-7TCN DRAM 128Mb, 3.3V, 143Mhz 4M x 32 SDRAM
AS4C4M32SA-6TCN DRAM SDRAM,128M,3.3V 166Mhz,4M x 32
AS4C4M32SA-6TCNTR DRAM SDRAM,128M,3.3V 166Mhz,4M x 32
AS4C4M32SA-6TIN DRAM SDRAM,128M,3.3V 166Mhz,4M x 32
AS4C4M32SA-6TINTR DRAM SDRAM,128M,3.3V 166Mhz,4M x 32
AS4C4M32SA-7TCN DRAM SDRAM,128M,3.3V 143Mhz,4M x 32
AS4C4M32SA-7TCNTR DRAM SDRAM,128M,3.3V 143Mhz,4M x 32
AS4C512M16D3L-12BCN DRAM 8GB 1.35V 800MHz 512M x 16 DDR3L CT
AS4C512M16D3L-12BCNTR DRAM 8GB 1.35V 800MHz 512M x 16 DDR3L CT
AS4C512M16D3L-12BIN DRAM 8GB 1.35V 800MHz 512M x 16 DDR3L IT
AS4C512M16D3L-12BINTR DRAM 8GB 1.35V 800MHz 512M x 16 DDR3L IT
AS4C512M16D3LA-10BCN DRAM 8G 512Mx16 933MHz 1.35V DDR3 ET
AS4C512M16D3LA-10BCNTR DRAM 8G 512Mx16 933MHz 1.35V DDR3 ET
AS4C512M16D3LA-10BIN DRAM 8G 512Mx16 933MHz 1.35V DDR3 IT
AS4C512M16D3LA-10BINTR DRAM 8G 512Mx16 933MHz 1.35V DDR3 IT
AS4C512M16D3LA-12BCN DRAM 8G 512Mx16 800MHz 1.35V DDR3 ET
AS4C512M16D3LA-12BCNTR DRAM 8G 512Mx16 800MHz 1.35V DDR3 ET
AS4C512M16D3LA-12BIN DRAM 8G 512Mx16 800MHz 1.35V DDR3 IT
AS4C512M16D3LA-12BINTR DRAM 8G 512Mx16 800MHz 1.35V DDR3 IT