Искать:
Фильтр
Производитель
Тип
Ширина шины данных
Организация
Упаковка / блок
Размер памяти
Максимальная тактовая частота
Время доступа
Напряжение питания - макс.
Напряжение питания - мин.
Напряжение питания - макс.
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Очистить фильтр
Фото Партномер Datasheet Описание Заказать
AS4C4M32SA-6TINTR DRAM SDRAM,128M,3.3V 166Mhz,4M x 32
AS4C4M32SA-7TCN DRAM SDRAM,128M,3.3V 143Mhz,4M x 32
AS4C4M32SA-7TCNTR DRAM SDRAM,128M,3.3V 143Mhz,4M x 32
AS4C512M16D3L-12BCN DRAM 8GB 1.35V 800MHz 512M x 16 DDR3L CT
AS4C512M16D3L-12BCNTR DRAM 8GB 1.35V 800MHz 512M x 16 DDR3L CT
AS4C512M16D3L-12BIN DRAM 8GB 1.35V 800MHz 512M x 16 DDR3L IT
AS4C512M16D3L-12BINTR DRAM 8GB 1.35V 800MHz 512M x 16 DDR3L IT
AS4C512M16D3LA-10BCN DRAM 8G 512Mx16 933MHz 1.35V DDR3 ET
AS4C512M16D3LA-10BCNTR DRAM 8G 512Mx16 933MHz 1.35V DDR3 ET
AS4C512M16D3LA-10BIN DRAM 8G 512Mx16 933MHz 1.35V DDR3 IT
AS4C512M16D3LA-10BINTR DRAM 8G 512Mx16 933MHz 1.35V DDR3 IT
AS4C512M16D3LA-12BCN DRAM 8G 512Mx16 800MHz 1.35V DDR3 ET
AS4C512M16D3LA-12BCNTR DRAM 8G 512Mx16 800MHz 1.35V DDR3 ET
AS4C512M16D3LA-12BIN DRAM 8G 512Mx16 800MHz 1.35V DDR3 IT
AS4C512M16D3LA-12BINTR DRAM 8G 512Mx16 800MHz 1.35V DDR3 IT
AS4C512M16D3LB-12BCN DRAM 8G, DDR3L, 512M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 0 C to 95 C
AS4C512M16D3LB-12BCNTR DRAM 8G - Dual Die Package (DDP) -12 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 800MHz DDR3-1600bps/pin Commercial (Extended) (0 95 C) 96-ball FBGA
AS4C512M16D3LB-12BIN DRAM 8G, DDR3L, 512M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, -40 C to 95 C
AS4C512M16D3LB-12BINTR DRAM 8G - Dual Die Package (DDP) -12 512M x 16 1.35V(1.283-1.45V) 800MHz DDR3-1600bps/pin Industrial (-40 95 C) 96-ball FBGA
AS4C512M8D3LA-12BCN DRAM 4G 1.35V 800MHz 512M x 8 DDR3
AS4C512M8D3LB-10BCN DRAM 4G - B DIE - 10NS OPTION 512M x 8 1.35V 933MHz DDR3-1866bps/pin Commercial (Extended) (0 95 C) 78-ball FBGA
AS4C512M8D3LB-10BCNTR DRAM 4G - B DIE - 10NS OPTION 512M x 8 1.35V 933MHz DDR3-1866bps/pin Commercial (Extended) (0 95 C) 78-ball FBGA
AS4C512M8D3LB-10BIN DRAM 4G - B DIE - 10NS OPTION 512M x 8 1.35V 933MHz DDR3-1866bps/pin Industrial (-40 95 C) 78-ball FBGA
AS4C512M8D3LB-10BINTR DRAM 4G - B DIE - 10NS OPTION 512M x 8 1.35V 933MHz DDR3-1866bps/pin Industrial (-40 95 C) 78-ball FBGA