Искать:
Фильтр
Производитель
Тип
Ширина шины данных
Организация
Упаковка / блок
Размер памяти
Максимальная тактовая частота
Время доступа
Напряжение питания - макс.
Напряжение питания - мин.
Напряжение питания - макс.
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Квалификация
Упаковка
Очистить фильтр
Фото Партномер Datasheet Описание Заказать
AS4C32M16D2A-25BCNTR DRAM
AS4C32M16D2A-25BIN DRAM
AS4C32M16D2A-25BINTR DRAM
AS4C32M16D2B-25BCN DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2
AS4C32M16D2B-25BCNTR DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2
AS4C32M16D2B-25BIN DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2
AS4C32M16D2B-25BINTR DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 32M x 16 DDR2
AS4C32M16D3-12BCN DRAM 512M 1.5V 800Mhz 32M x 16 DDR3
AS4C32M16D3-12BCNTR DRAM 512M 1.5V 800Mhz 32M x 16 DDR3
AS4C32M16D3-12BIN DRAM 512M 1.5V 800Mhz 32M x 16 DDR3
AS4C32M16D3-12BINTR DRAM 512M 1.5V 800Mhz 32M x 16 DDR3
AS4C32M16D3L-12BCN DRAM 512M 1.35V 800Mhz 32M x 16 DDR3
AS4C32M16D3L-12BCNTR DRAM 512M 1.35V 800Mhz 32M x 16 DDR3
AS4C32M16D3L-12BIN DRAM 512M 1.35V 800Mhz 32M x 16 DDR3
AS4C32M16D3L-12BINTR DRAM 512M 1.35V 800Mhz 32M x 16 DDR3
AS4C32M16MD1-5BIN DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 32M x 16 Mobile DDR
AS4C32M16MD1-5BINTR DRAM 512M, 1.8V, 200Mhz 32M x 16 Mobile DDR
AS4C32M16MD1A-5BCN DRAM Mobile DDR, 512M 1.8V,200MHz,32M x 16
AS4C32M16MD1A-5BCNTR DRAM Mobile DDR, 512M 1.8V,200MHz,32M x 16
AS4C32M16MD1A-5BIN DRAM Mobile DDR, 512M 1.8V,200MHz,32M x 16
AS4C32M16MD1A-5BINTR DRAM Mobile DDR, 512M 1.8V,200MHz,32M x 16
AS4C32M16MS-6BIN DRAM 512M 1.8V 166MHz 32Mx16 LP MSDR
AS4C32M16MSA-6BIN DRAM 512M 166MHz 32Mx16 Mobile LP SDRAM IT
AS4C32M16MSA-6BINTR DRAM 512M 166MHz 32Mx16 Mobile LP SDRAM IT