Искать:
Фильтр
Производитель
Вид монтажа
Упаковка / блок
Серия
Размер памяти
Тип интерфейса
Организация
Тип синхронизации
Ширина шины данных
Напряжение питания - мин.
Напряжение питания - макс.
Напряжение питания - макс.
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Упаковка
Очистить фильтр
Фото Партномер Datasheet Описание Заказать
TC58NVG2S0HTAI0 Флеш-память NAND 3.3V 4Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
TC58NVG2S3EBAI5 Флеш-память NAND 3.3V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
TC58NVG2S3ETA00 Флеш-память NAND 3.3V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
TC58NVG2S3ETAI0 Флеш-память NAND 3.3V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
TC58NVG3S0FBAID Флеш-память NAND 8Gb 32nm SLC NAND (EEPROM)
TC58NVG3S0FTA00 Флеш-память NAND 3.3V 8Gb 32nm SLC NAND (EEPROM)
TC58NVG3S0FTAI0 Флеш-память NAND 3.3V 8Gb 32nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
TC58NYG0S3EBAI4 Флеш-память NAND 1.8V 1Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
TC58NYG0S3HBAI6 Флеш-память NAND 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
TC58NYG1S3EBAI5 Флеш-память NAND 1.8V 2Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
TC58NYG1S3HBAI4 Флеш-память NAND 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58NYG1S3HBAI6 Флеш-память NAND 1.8V 2Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58NYG2S0HBAI4 Флеш-память NAND 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58NYG2S0HBAI6 Флеш-память NAND 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TC58NYG2S3EBAI5 Флеш-память NAND 1.8V 4Gb 43nm SLC NAND (EEPROM)
TH58BVG2S3HBAI4 Флеш-память NAND 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58BVG2S3HBAI6 Флеш-память NAND 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58BVG2S3HTA00 Флеш-память NAND 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58BVG2S3HTAI0 Флеш-память NAND 4Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
TH58BVG3S0HTA00 Флеш-память NAND 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58BVG3S0HTAI0 Флеш-память NAND 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58BYG2S3HBAI4 Флеш-память NAND 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58BYG2S3HBAI6 Флеш-память NAND 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
TH58BYG3S0HBAI4 Флеш-память NAND 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)