Искать:
Фильтр
Производитель
Полярность транзистора
Технология
Id - непрерывный ток утечки
Vds - напряжение пробоя сток-исток
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
Усиление
Выходная мощность
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Вид монтажа
Упаковка / блок
Упаковка
Очистить фильтр
Фото Партномер Datasheet Описание Заказать
MRFE6VP8600HSR5 РЧ МОП-транзисторы VHV6 600W NI1230S 50V
MRFE6VS25GN-960 РЧ МОП-транзисторы MRFE6VS25GN-960
MRFE6VS25GNR1 РЧ МОП-транзисторы VHV6E 25W50V TO270-2G
MRFE6VS25LR5 РЧ МОП-транзисторы VHV6E 25W50V NI360L
MRFE8VP8600HR5 РЧ МОП-транзисторы 140 W Avg. over 470-870 MHz, 50 V RF Power LDMOS Transistor
MRFE8VP8600HSR5 РЧ МОП-транзисторы 140 W Avg. over 470-870 MHz, 50 V RF Power LDMOS Transistor
MRFX035HR5 РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 35 W CW over 1.8-512 MHz, 65 V
MRFX1K80GNR5 РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 1800 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
MRFX1K80N-230MHZ РЧ МОП-транзисторы MRFX1K80N-230MHZ
MRFX1K80N-88MHZ РЧ МОП-транзисторы MRFX1K80N 87.5-108 MHz Reference Circuit
MRFX1K80NR5 РЧ МОП-транзисторы 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
MRFX600GSR5 РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
MRFX600HR5 РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
MRFX600HSR5 РЧ МОП-транзисторы Wideband RF Power LDMOS Transistor, 600 W CW over 1.8-400 MHz, 65 V
MW6S010GNR1 РЧ МОП-транзисторы HV6 900MHZ 10W
MW6S010NR1 РЧ МОП-транзисторы HV6 900MHZ 10W TO270-2N
NE5550979A-EV04-A РЧ МОП-транзисторы Pout 39.5dBm PAE 66% Eval Brd for 460MHz
PD20010-E РЧ МОП-транзисторы POWER R.F.
PD20010TR-E РЧ МОП-транзисторы RF power tran LdmoST N-chann
PD20015-E РЧ МОП-транзисторы N-Ch, 13.6V 15W LDMOST family
PD54003-E РЧ МОП-транзисторы RF POWER transistor LDMOST family N-Chan
PD54008-E РЧ МОП-транзисторы RF Pwr Transistors LDMOST Plastic N Ch
PD54008L-E РЧ МОП-транзисторы POWER RF Transistor
PD54008TR-E РЧ МОП-транзисторы N-Ch, 25V 5A 3Pin Transistor, LDMOST