Искать:
Фильтр
Производитель
Конфигурация
Полярность транзистора
Типичное входное сопротивление
Типичный коэффициент деления резистора
Вид монтажа
Упаковка / блок
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe
Максимальная рабочая частота
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
Непрерывный коллекторный ток
Пиковый постоянный ток коллектора
Pd - рассеивание мощности
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Серия
Упаковка
Очистить фильтр
Фото Партномер Datasheet Описание Заказать
MUN2238T1G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN DIGITAL TRANSISTOR
MUN2240T1G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN
MUN2241T1G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT NPN
MUN5111DW1T1G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT Dual PNP
MUN5111T1G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR PNP 50V
MUN5112DW1T1G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT Dual PNP
MUN5112T1G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
MUN5113DW1T1G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR PNP 50V
MUN5113T1G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR PNP 50V
MUN5113T3G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
MUN5114DW1T1G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT Dual PNP
MUN5114T1G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
MUN5115DW1T1G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT Dual PNP
MUN5115T1G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
MUN5116DW1T1G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT Dual PNP
MUN5116T1G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
MUN5130DW1T1G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
MUN5130T1G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
MUN5131DW1T1G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
MUN5131T1G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
MUN5132DW1T1G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS SC88 BR XSTR PNP 50V
MUN5132T1G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
MUN5133DW1T1G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 100mA 50V BRT PNP
MUN5133T1G Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR PNP 50V
Продолжая использовать сайт, вы соглашаетесь на обработку файлов cookie и Политикой обработки персональных данных.
Принять
Отказаться
Политика конфиденциальности