Искать:
Фото Партномер Datasheet Описание Заказать
05407900 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
05410100 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
05410200 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
2LS20017E42W34854 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
2LS20017E42W36702 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
2LS20017E42W40403 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
2PS06017E32G28213 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1x 325A AC at 690V AC Forced Air
2PS12017E34W32132NOSA1 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM
2PS12017E44G35911 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
2PS13512E43W35222NOSA1 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM
2PS13512E43W39689 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
2PS18012E44G38553NOSA1 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM
4PS03012S43G30699 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
6MS10017E41W36460 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
6MS16017P43W40382 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
6MS16017P43W40383 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
6MS20017E43W37032 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
6MS20017E43W38170 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
6MS24017E33W32859NOSA1 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM
6MS24017E33W32860NOSA1 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM
6MS30017E43W34404NOSA1 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) STACKS IPM
6MS30017E43W38169 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
6PS03012E33G34160 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
6PS04512E43G37986 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)