|
HGTG40N60B3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT UFS Series |
|
|
HGTG5N120BND |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch |
|
|
HGTP12N60C3D |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HGTP12N60C3D |
|
|
IDW40E65D2 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS Rapid Switching |
|
|
IEWS20R5135IPBXKMA1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
|
|
IGA03N120H2 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED TECH 1200V 3A |
|
|
IGB01N120H2 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 1A |
|
|
IGB03N120H2 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A |
|
|
IGB10N60T |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech |
|
|
IGB10N60TATMA1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech |
|
|
IGB15N60T |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A |
|
|
IGB15N60TATMA1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A |
|
|
IGB15N65S5ATMA1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS |
|
|
IGB20N60H3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600v Hi-Speed SW IGBT |
|
|
IGB20N65S5ATMA1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS |
|
|
IGB30N60H3 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600v Hi-Speed SW IGBT |
|
|
IGB30N60T |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A |
|
|
IGB50N60T |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A |
|
|
IGB50N60TATMA1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A |
|
|
IGB50N65H5ATMA1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS |
|
|
IGB50N65S5ATMA1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS |
|
|
IGD01N120H2 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200A 1A |
|
|
IGD06N60TATMA1 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Infineon's TRENCHSTOP IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combinati |
|
|
IGP06N60T |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS DuoPack 600V 6A |
|