|
IXA4IF1200UC |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT IGBT Copack |
|
|
IXA4IF1200UC-TUB |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT XPT-GENX3 |
|
|
IXA55I1200HJ |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT 1200V 84A Single IGBT |
|
|
IXB200I600NA |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT Single IGBT |
|
|
IXB80IF600NA |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) XPT Single IGBT |
|
|
IXBF20N300 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT |
|
|
IXBF20N360 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 3600V/45A Reverse Conducting IGBT |
|
|
IXBF32N300 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
|
|
IXBF40N160 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 40 Amps 1600V |
|
|
IXBF50N360 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 3600V/70A Reverse Conducting IGBT |
|
|
IXBF55N300 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) High Voltage High Gain BIMOSFET |
|
|
IXBF9N160G |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 9 Amps 1600V 1600V 9A |
|
|
IXBH10N170 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 10 Amps 1700V 2.3 Rds |
|
|
IXBH10N300HV |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT |
|
|
IXBH12N300 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT |
|
|
IXBH16N170 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V 25A |
|
|
IXBH16N170A |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V 16A |
|
|
IXBH20N300 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT |
|
|
IXBH24N170 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BIMOSFETS 1700V 60A |
|
|
IXBH28N170A |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30Amps 1700V |
|
|
IXBH40N160 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1600V 33A |
|
|
IXBH42N170 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V 75A |
|
|
IXBH42N170A |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) BIMOSET 42A 1700V |
|
|
IXBH42N250 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT |
|