|
STGB19NC60KDT4 |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
|
|
STGB20H60DF |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT |
|
|
STGB20M65DF2 |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 20 A low loss |
|
|
STGB20N40LZ |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 390V IGBT EAS 300mJ Internally Clamped |
|
|
STGB20N45LZAG |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
|
|
STGB20NB41LZT4 |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch Clamped 20 Amp |
|
|
STGB20NC60V |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 30 A 600V FAST IGBT |
|
|
STGB20V60DF |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed |
|
|
STGB20V60F |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed |
|
|
STGB25N40LZAG |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD HIGH VOLTAGE |
|
|
STGB30H60DFB |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed |
|
|
STGB30H60DLFB |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed |
|
|
STGB30H60DLLFBAG |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed |
|
|
STGB30H65FB |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed in a D2PAK package |
|
|
STGB30M65DF2 |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 30 A low loss |
|
|
STGB30V60DF |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed |
|
|
STGB30V60F |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed |
|
|
STGB3NC120HDT4 |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast |
|
|
STGB40H65FB |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed |
|
|
STGB40V60F |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed |
|
|
STGB4M65DF2 |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss |
|
|
STGB5H60DF |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed |
|
|
STGB6M65DF2 |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss |
|
|
STGB6NC60HDT4 |
|
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH TM IGBT |
|
