|
CGH60008D-GP4 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt |
|
|
CGH60015D-GP4 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt |
|
|
CGH60030D-GP4 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt |
|
|
CGH60060D-GP4 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt |
|
|
CGH60120D-GP4 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt |
|
|
CGHV14250F |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt |
|
|
CGHV14500F |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 500 Watt |
|
|
CGHV14800F |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt |
|
|
CGHV1F006S |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt |
|
|
CGHV1F025S |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt |
|
|
CGHV1J006D-GP4 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt |
|
|
CGHV1J025D-GP4 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt |
|
|
CGHV1J070D-GP4 |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt |
|
|
CGHV27015S |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 15 Watt |
|
|
CGHV27030S |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt |
|
|
CGHV27060MP |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-2.7GHz, 60 Watt |
|
|
CGHV35060MP |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 2.7-3.1GHz, 60 Watt |
|
|
CGHV35150F |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt |
|
|
CGHV35400F |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt |
|
|
CGHV40030F |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt |
|
|
CGHV40050F |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 Watt |
|
|
CGHV40100F |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt |
|
|
CGHV40180F |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT |
|
|
CGHV40200PP |
if ($product['pdf_local']): ?>
endif; ?>
|
РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt |
|