Искать:
Фильтр
Производитель
Полярность транзистора
Технология
Id - непрерывный ток утечки
Vds - напряжение пробоя сток-исток
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
Усиление
Выходная мощность
Минимальная рабочая температура
Максимальная рабочая температура
Вид монтажа
Упаковка / блок
Упаковка
Очистить фильтр
Фото Партномер Datasheet Описание Заказать
MMRF1014NT1 РЧ МОП-транзисторы LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
MMRF1015GNR1 РЧ МОП-транзисторы Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 450-1500 MHz, 10 W, 28 V
MMRF1015NR1 РЧ МОП-транзисторы Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 450-1500 MHz, 10 W, 28 V
MMRF1016HR5 РЧ МОП-транзисторы Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2-500 MHz, 600 W, 50 V
MMRF1017NR3 РЧ МОП-транзисторы 720-960 MHz 80 W Avg. 28 V
MMRF1018NBR1 РЧ МОП-транзисторы Broadband RF Power LDMOS Transistor, 470-860 MHz, 90 W, 50 V
MMRF1018NR1 РЧ МОП-транзисторы Broadband RF Power LDMOS Transistor, 470-860 MHz, 90 W, 50 V
MMRF1019NR4 РЧ МОП-транзисторы Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 1090 MHz, 10 W, 50 V
MMRF1020-04GNR3 РЧ МОП-транзисторы 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
MMRF1020-04NR3 РЧ МОП-транзисторы 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
MMRF1022HSR5 РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2170 MHz, 63 W Avg., 28 V
MMRF1023HSR5 РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2300-2400 MHz, 66 W Avg., 28 V
MMRF1024HSR5 РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2496-2690 MHz, 50 W Avg., 28 V
MMRF1304GNR1 РЧ МОП-транзисторы 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V
MMRF1304LR5 РЧ МОП-транзисторы 1.8-2000MHz 25W 50V
MMRF1304NR1 РЧ МОП-транзисторы 1.8 - 2000 MHz 25 W 50 V
MMRF1305HR5 РЧ МОП-транзисторы 1.8-2000 MHz 100 W 50 V
MMRF1305HSR5 РЧ МОП-транзисторы 1.8-2000 MHz 100 W 50 V
MMRF1306HR5 РЧ МОП-транзисторы MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
MMRF1306HSR5 РЧ МОП-транзисторы MOSFET 10-500 MHz 1000 W 50 V
MMRF1308HR5 РЧ МОП-транзисторы Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
MMRF1308HSR5 РЧ МОП-транзисторы Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 600 W CW, 50 V
MMRF1310HR5 РЧ МОП-транзисторы Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V
MMRF1310HSR5 РЧ МОП-транзисторы Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V